TK7J90E,S1E Toshiba МОП-транзистор PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN

Виробник: TOSHIBA

Код товару: TK7J90E,S1E

Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення

Артикул: TK7J90E,S1E

Кіл-ть

0 відгуків0

Будь-яка форма оплати

Знижки для розробників і виробництв

Доставка по Україні Новою Поштою і Укрпоштою

Безкоштовна адресна доставка при замовленні від 5000грн

Не вдалося знайти? Відправте запит.

Id - непрерывный ток утечки 7 A

Pd - рассеивание мощности 200 W

Qg - заряд затвора 32 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.6 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток 900 V

Vgs - напряжение затвор-исток 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V

Вес изделия 7 g

Вид монтажа Through Hole

Время нарастания 20 ns

Время спада 15 ns

Высота 20 mm

Длина 15.5 mm

Канальный режим Enhancement

Количество в заводской упаковке 25

Количество каналов 1 Channel

Конфигурация Single

Максимальная рабочая температура + 150 C

Минимальная рабочая температура - 55 C

Полярность транзистора N-Channel

Серия TK7J90E

Технология Si

Тип корпуса TO-3PN-3

Тип транзистора 1 N-Channel

Типичное время задержки выключения 85 ns

Типичное время задержки при включении 55 ns

Торговая марка Toshiba

Ширина 4.5 mm

MOSFET PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN

Про виробника

TOSHIBA

Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...