TK8A50DA(STA4,Q,M) Toshiba МОП-транзистор N-Ch MOS 7.5A 500V 35W 700pF 1.04 Ohm
Виробник: TOSHIBA
Код товару: TK8A50DA(STA4,Q,M)
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TK8A50DA(STA4,Q,M)
Id - непрерывный ток утечки
7.5 A
Pd - рассеивание мощности
35 W
Qg - заряд затвора
16 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
760 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
500 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
4.4 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
20 ns
Время спада
11 ns
Высота
15 mm
Длина
10 mm
Количество в заводской упаковке
50
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
DTMOSIV
Конфигурация
Single
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
1 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Продукт
MOSFET
Серия
TK8A50DA
Технология
Si
Тип
N-Channel Silicon MOSFET
Тип корпуса
TO-220FP-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
60 ns
Типичное время задержки при включении
40 ns
Торговая марка
Toshiba
Ширина
4.5 mm
MOSFET N-Ch MOS 7.5A 500V 35W 700pF 1.04 Ohm
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...