TK8R2A06PL,S4X Toshiba МОП-транзистор N-Ch 60V 1990pF 29nC 50A 34W
Виробник: TOSHIBA
Код товару: TK8R2A06PL,S4X
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TK8R2A06PL,S4X
Id - непрерывный ток утечки
50 A
Pd - рассеивание мощности
36 W
Qg - заряд затвора
28.3 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
6.1 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.5 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
5 ns
Время спада
17 ns
Высота
15 mm
Длина
10 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
50
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TO-220FP-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
42 ns
Типичное время задержки при включении
19 ns
Торговая марка
Toshiba
Ширина
4.5 mm
MOSFET N-Ch 60V 1990pF 29nC 50A 34W
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...