TPH1R712MD,L1Q Toshiba МОП-транзистор P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI
Виробник: TOSHIBA
Код товару: TPH1R712MD,L1Q
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TPH1R712MD,L1Q
Id - непрерывный ток утечки
- 60 A
Pd - рассеивание мощности
78 W
Qg - заряд затвора
182 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.35 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
- 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток
12 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
14 ns
Время спада
27 ns
Высота
0.95 mm
Длина
5 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
5000
Количество каналов
1 Channel
Полярность транзистора
P-Channel
Серия
TPH1R712MD
Технология
Si
Тип корпуса
SOP-Advance-8
Типичное время задержки выключения
1620 ns
Типичное время задержки при включении
27 ns
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
5 mm
MOSFET P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...