TPH4R606NH,L1Q Toshiba МОП-транзистор U-MOSVIII-H 60V 85A 49nC МОП-транзистор
Виробник: TOSHIBA
Код товару: TPH4R606NH,L1Q
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TPH4R606NH,L1Q
Id - непрерывный ток утечки
85 A
Pd - рассеивание мощности
63 W
Qg - заряд затвора
49 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
3.8 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V to 4 V
Вес изделия
851 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
10 ns
Время спада
14 ns
Высота
0.95 mm
Длина
5 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
5000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
TPH4R606NH
Технология
Si
Тип корпуса
SOP-Advance-8
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
37 ns
Типичное время задержки при включении
24 ns
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
5 mm
MOSFET U-MOSVIII-H 60V 85A 49nC MOSFET
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...