TPN11006NL,LQ Toshiba МОП-транзистор U-MOSVIII-H 60V 37A 23nC МОП-транзистор
Виробник: TOSHIBA
Код товару: TPN11006NL,LQ
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TPN11006NL,LQ
Id - непрерывный ток утечки
37 A
Pd - рассеивание мощности
30 W
Qg - заряд затвора
23 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
17 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.5 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
4 ns
Время спада
7.1 ns
Высота
0.85 mm
Длина
3.1 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
1 Channel
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
TPN11006NL
Технология
Si
Тип корпуса
TSON-Advance-8
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
27 ns
Типичное время задержки при включении
11 ns
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
3.1 mm
MOSFET U-MOSVIII-H 60V 37A 23nC MOSFET
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...