TPN14006NH,L1Q Toshiba МОП-транзистор N-Ch 60V 1000pF 15nC 13.9mOhm 33A 30W
Виробник: TOSHIBA
Код товару: TPN14006NH,L1Q
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TPN14006NH,L1Q
Id - непрерывный ток утечки
33 A
Pd - рассеивание мощности
30 W
Qg - заряд затвора
15 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
11 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V to 4 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
9 ns
Время спада
5.5 ns
Высота
0.85 mm
Длина
3.1 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
5000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
TPN14006NH
Технология
Si
Тип корпуса
TSON-Advance-8
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
18 ns
Типичное время задержки при включении
18 ns
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
3.1 mm
MOSFET N-Ch 60V 1000pF 15nC 13.9mOhm 33A 30W
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...