TPN2R203NC,L1Q Toshiba МОП-транзистор X35PBF Power МОП-транзистор Trans VGS10V VDS30V
Виробник: TOSHIBA
Код товару: TPN2R203NC,L1Q
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TPN2R203NC,L1Q
Id - непрерывный ток утечки
45 A
Pd - рассеивание мощности
42 W
Qg - заряд затвора
34 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.8 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.3 V to 2.3 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.85 mm
Длина
3.1 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
5000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
TPN2R203NC
Технология
Si
Тип корпуса
TSON-Advance-8
Тип транзистора
1 N-Channel
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
3.1 mm
MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS10V VDS30V
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...