TPN4R712MD,L1Q Toshiba МОП-транзистор P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI

Виробник: TOSHIBA

Код товару: TPN4R712MD,L1Q

Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення

Артикул: TPN4R712MD,L1Q

Кіл-ть

0 відгуків0

Будь-яка форма оплати

Знижки для розробників і виробництв

Доставка по Україні Новою Поштою і Укрпоштою

Безкоштовна адресна доставка при замовленні від 5000грн

Не вдалося знайти? Відправте запит.

Id - непрерывный ток утечки - 36 A

Pd - рассеивание мощности 42 W

Qg - заряд затвора 65 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 3.8 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток - 20 V

Vgs - напряжение затвор-исток 12 V

Вид монтажа SMD/SMT

Время нарастания 11 ns

Время спада 145 ns

Высота 0.85 mm

Длина 3.1 mm

Канальный режим Enhancement

Количество в заводской упаковке 5000

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора P-Channel

Серия TPN4R712MD

Технология Si

Тип корпуса TSON-Advance-8

Типичное время задержки выключения 443 ns

Типичное время задержки при включении 18 ns

Торговая марка Toshiba

Упаковка Reel

Ширина 3.1 mm

MOSFET P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI

Про виробника

TOSHIBA

Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...