TPN7R506NH,L1Q Toshiba МОП-транзистор U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC МОП-транзистор
Виробник: TOSHIBA
Код товару: TPN7R506NH,L1Q
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TPN7R506NH,L1Q
Id - непрерывный ток утечки
53 A
Pd - рассеивание мощности
42 W
Qg - заряд затвора
22 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
16 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
4 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
5.7 ns
Время спада
5.6 ns
Высота
0.85 mm
Длина
3.1 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
5000
Количество каналов
1 Channel
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
TPN7R506NH
Технология
Si
Тип корпуса
TSON-Advance-8
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
20 ns
Типичное время задержки при включении
16 ns
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
3.1 mm
MOSFET U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...