TPN8R903NL,LQ Toshiba МОП-транзистор N-Ch DTMOS VII-H 22W 630pF 37A 30V

Виробник: TOSHIBA

Код товару: TPN8R903NL,LQ

Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення

Артикул: TPN8R903NL,LQ

Кіл-ть

0 відгуків0

Будь-яка форма оплати

Знижки для розробників і виробництв

Доставка по Україні Новою Поштою і Укрпоштою

Безкоштовна адресна доставка при замовленні від 5000грн

Не вдалося знайти? Відправте запит.

Id - непрерывный ток утечки 37 A

Pd - рассеивание мощности 22 W

Qg - заряд затвора 9.8 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 10.2 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V

Vgs - напряжение затвор-исток 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.3 V

Вид монтажа SMD/SMT

Время нарастания 2.4 ns

Время спада 2.1 ns

Высота 0.85 mm

Длина 3.1 mm

Канальный режим Enhancement

Количество в заводской упаковке 3000

Количество каналов 1 Channel

Конфигурация Single Quad Drain

Максимальная рабочая температура + 150 C

Минимальная рабочая температура - 55 C

Полярность транзистора N-Channel

Серия TPN8R903NL

Технология Si

Тип корпуса TSON-Advance-8

Тип транзистора 1 N-Channel

Типичное время задержки выключения 14 ns

Типичное время задержки при включении 8.3 ns

Торговая марка Toshiba

Упаковка Reel

Ширина 3.1 mm

MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 22W 630pF 37A 30V

Про виробника

TOSHIBA

Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...