TPW4R50ANH,L1Q Toshiba МОП-транзистор N-CH Mosfet 60V
Виробник: TOSHIBA
Код товару: TPW4R50ANH,L1Q
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TPW4R50ANH,L1Q
Id - непрерывный ток утечки
92 A
Pd - рассеивание мощности
142 W
Qg - заряд затвора
58 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
3.7 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
9.6 ns
Время спада
13 ns
Высота
0.73 mm
Длина
5 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
5000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single Quad Drain Triple Source
Максимальная рабочая температура
-
Минимальная рабочая температура
-
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
TPW4R50ANH
Технология
Si
Тип корпуса
DSOP-Advance-8
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
52 ns
Типичное время задержки при включении
25 ns
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
5 mm
MOSFET N-CH Mosfet 60V
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...