SIRA32DP-T1-RE3 Vishay Semiconductors МОП-транзистор 25V Vds PowerPAK -12/16V Vgs 60A Id
Виробник: VISHAY SEMICONDUCTORS
Код товару: SIRA32DP-T1-RE3
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: SIRA32DP-T1-RE3
Id - непрерывный ток утечки
60 A
Pd - рассеивание мощности
65.7 W
Qg - заряд затвора
55 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
25 V
Vgs - напряжение затвор-исток
- 12 V, + 16 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.2 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
23 ns
Время спада
10 ns
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
TrenchFET
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
PowerPAK-SO-8
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
24 ns
Типичное время задержки при включении
14 ns
Торговая марка
Vishay Semiconductors
Упаковка
Reel
MOSFET 25V Vds PowerPAK -12/16V Vgs 60A Id
Про виробника
VISHAY SEMICONDUCTORS
Vishay Intertechnology — международная компания, один из крупнейших поставщиков прецизионных дискретных полупроводниковых приборов и пассивных электронных компонентов в мире.
Впервые вышла на рынок в 1962 году с уникальными высокоточными тонкоплёночн... Детально...