SISA24DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors МОП-транзистор 25V Vds 60A Id 17.2nC Qg Typ.
Виробник: VISHAY SEMICONDUCTORS
Код товару: SISA24DN-T1-GE3
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: SISA24DN-T1-GE3
Id - непрерывный ток утечки
60 A
Pd - рассеивание мощности
52 W
Qg - заряд затвора
55 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
0.00115 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
25 V
Vgs - напряжение затвор-исток
+ 20 V, - 16 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
42 ns
Время спада
17 ns
Высота
1.04 mm
Длина
3.3 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
75 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
PowerPAK-1212-8
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
17 ns
Типичное время задержки при включении
18 ns
Торговая марка
Vishay Semiconductors
Упаковка
Reel
Ширина
3.3 mm
MOSFET 25V Vds 60A Id 17.2nC Qg Typ.
Про виробника
VISHAY SEMICONDUCTORS
Vishay Intertechnology — международная компания, один из крупнейших поставщиков прецизионных дискретных полупроводниковых приборов и пассивных электронных компонентов в мире.
Впервые вышла на рынок в 1962 году с уникальными высокоточными тонкоплёночн... Детально...