SQ1421EDH-T1_GE3 Vishay Semiconductors МОП-транзистор 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified

Виробник: VISHAY SEMICONDUCTORS
Код товару: SQ1421EDH-T1_GE3
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Артикул: SQ1421EDH-T1_GE3

0


Будь-яка форма оплати
Знижки для розробників і виробництв
Доставка по Україні Новою Поштою і Укрпоштою
Безкоштовна адресна доставка при замовленні від 5000грн
Не вдалося знайти? Відправте запит.


Id - непрерывный ток утечки - 1.6 A
Pd - рассеивание мощности 2.7 W
Qg - заряд затвора 5.4 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 0.23 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток - 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток +/- 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток - 2.5 V
Вес изделия 28 mg
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 25 ns
Время спада 9 ns
Высота 1 mm
Длина 2.1 mm
Канальный режим Enhancement
Количество в заводской упаковке 3000
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение TrenchFET
Конфигурация 1 P-Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин. 3 S
Максимальная рабочая температура + 100 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора P-Channel
Серия SQ
Технология Si
Тип корпуса SOT-363-6
Тип транзистора 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения 13 ns
Типичное время задержки при включении 44 ns
Торговая марка Vishay Semiconductors
Упаковка Reel
Ширина 1.25 mm
MOSFET 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified
Увага: HTML не підтримується! Використовуйте звичайний текст!

Про виробника

VISHAY SEMICONDUCTORS

VISHAY SEMICONDUCTORS

Vishay Intertechnology — международная компания, один из крупнейших поставщиков прецизионных дискретных полупроводниковых приборов и пассивных электронных компонентов в мире. Впервые вышла на рынок в 1962 году с уникальными высокоточными тонкоплёночн... Детально...