SI3493DDV-T1-GE3 Vishay / Siliconix МОП-транзистор P-Channel 20V TSOP-6
Виробник: VISHAY / SILICONIX
Код товару: SI3493DDV-T1-GE3
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: SI3493DDV-T1-GE3
Id - непрерывный ток утечки
- 8 A
Pd - рассеивание мощности
3.6 W
Qg - заряд затвора
52.2 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
0.02 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
- 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток
+/- 8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
- 1 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
20 ns
Время спада
40 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 P-Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
30 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
P-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TSOP-6
Тип транзистора
1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
115 ns
Типичное время задержки при включении
8 ns
Торговая марка
Vishay / Siliconix
Упаковка
Reel
MOSFET P-Channel 20V TSOP-6
Про виробника
VISHAY / SILICONIX
Vishay Intertechnology — международная компания, один из крупнейших поставщиков прецизионных дискретных полупроводниковых приборов и пассивных электронных компонентов в мире.... Детально...