SIHB33N60ET5-GE3 Vishay / Siliconix МОП-транзистор 600V Vds E Series D2PAK TO-263
Виробник: VISHAY / SILICONIX
Код товару: SIHB33N60ET5-GE3
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: SIHB33N60ET5-GE3
Id - непрерывный ток утечки
33 A
Pd - рассеивание мощности
278 W
Qg - заряд затвора
100 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
-
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Вид монтажа
Through Hole
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
800
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
SIHB33N60E
Технология
Si
Тип корпуса
TO-263
Тип транзистора
MOSFET
Типичное время задержки выключения
99 ns
Типичное время задержки при включении
28 ns
Торговая марка
Vishay / Siliconix
Упаковка
Reel
MOSFET 600V Vds E Series D2PAK TO-263
Про виробника
VISHAY / SILICONIX
Vishay Intertechnology — международная компания, один из крупнейших поставщиков прецизионных дискретных полупроводниковых приборов и пассивных электронных компонентов в мире.... Детально...