SIHD7N60ET5-GE3 Vishay / Siliconix МОП-транзистор 600V Vds E Series DPAK TO-252
Виробник: VISHAY / SILICONIX
Код товару: SIHD7N60ET5-GE3
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: SIHD7N60ET5-GE3
Id - непрерывный ток утечки
7 A
Pd - рассеивание мощности
78 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
-
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Вид монтажа
Through Hole
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
SIHD7N60E
Технология
Si
Тип корпуса
TO-252-3
Тип транзистора
MOSFET
Типичное время задержки выключения
24 ns
Типичное время задержки при включении
13 ns
Торговая марка
Vishay / Siliconix
Упаковка
Reel
MOSFET 600V Vds E Series DPAK TO-252
Про виробника
VISHAY / SILICONIX
Vishay Intertechnology — международная компания, один из крупнейших поставщиков прецизионных дискретных полупроводниковых приборов и пассивных электронных компонентов в мире.... Детально...