SIHP065N60E-GE3 Vishay / Siliconix МОП-транзистор 650V Vds 250W Pd +/-30V Vds E Series
Виробник: VISHAY / SILICONIX
Код товару: SIHP065N60E-GE3
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: SIHP065N60E-GE3
Id - непрерывный ток утечки
40 A
Pd - рассеивание мощности
250 W
Qg - заряд затвора
98 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
57 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
46 ns
Время спада
13 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
12 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TO-220-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
54 ns
Типичное время задержки при включении
28 ns
Торговая марка
Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 250W Pd +/-30V Vds E Series
Про виробника
VISHAY / SILICONIX
Vishay Intertechnology — международная компания, один из крупнейших поставщиков прецизионных дискретных полупроводниковых приборов и пассивных электронных компонентов в мире.... Детально...