SIR626DP-T1-RE3 Vishay / Siliconix МОП-транзистор N-Channel 60V PowerPAK SO-8
Виробник: VISHAY / SILICONIX
Код товару: SIR626DP-T1-RE3
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: SIR626DP-T1-RE3
Id - непрерывный ток утечки
100 A
Pd - рассеивание мощности
104 W
Qg - заряд затвора
102 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
0.0014 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
+/- 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
25 ns
Время спада
12 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
78 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
PowerPAK-SO-8
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
27 ns
Типичное время задержки при включении
19 ns
Торговая марка
Vishay / Siliconix
Упаковка
Reel
MOSFET N-Channel 60V PowerPAK SO-8
Про виробника
VISHAY / SILICONIX
Vishay Intertechnology — международная компания, один из крупнейших поставщиков прецизионных дискретных полупроводниковых приборов и пассивных электронных компонентов в мире.... Детально...