SQJ956EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix МОП-транзистор N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
Виробник: VISHAY / SILICONIX
Код товару: SQJ956EP-T1_GE3
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: SQJ956EP-T1_GE3
Id - непрерывный ток утечки
23 A, 23 A
Pd - рассеивание мощности
34 W
Qg - заряд затвора
30 nC, 30 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
0.0223 Ohms, 0.0223 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V, 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
+/- 20 V, +/- 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.5 V, 1.5 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
11 ns, 11 ns
Время спада
6 ns, 6 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
2 N-Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
19 S, 19 S
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
SQ
Технология
Si
Тип корпуса
PowerPAK-SO-8L-4
Тип транзистора
2 N-Channel
Типичное время задержки выключения
24 ns, 24 ns
Типичное время задержки при включении
8 ns, 8 ns
Торговая марка
Vishay / Siliconix
Упаковка
Reel
MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
Про виробника
VISHAY / SILICONIX
Vishay Intertechnology — международная компания, один из крупнейших поставщиков прецизионных дискретных полупроводниковых приборов и пассивных электронных компонентов в мире.... Детально...