SQS401ENW-T1_GE3 Vishay / Siliconix МОП-транзистор P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

Виробник: VISHAY / SILICONIX
Код товару: SQS401ENW-T1_GE3
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Артикул: SQS401ENW-T1_GE3

0


Будь-яка форма оплати
Знижки для розробників і виробництв
Доставка по Україні Новою Поштою і Укрпоштою
Безкоштовна адресна доставка при замовленні від 5000грн
Не вдалося знайти? Відправте запит.


Id - непрерывный ток утечки - 16 A
Pd - рассеивание мощности 62.5 W
Qg - заряд затвора 21.2 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 0.02 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток - 40 V
Vgs - напряжение затвор-исток +/- 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток - 2.5 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 10 ns
Время спада 10.2 ns
Высота 1.04 mm
Длина 3.3 mm
Канальный режим Enhancement
Количество в заводской упаковке 3000
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация 1 P-Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин. 12 S
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора P-Channel
Серия SQ
Технология Si
Тип корпуса PowerPAK-1212-8
Тип транзистора 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения 36.5 ns
Типичное время задержки при включении 11 ns
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка Reel
Ширина 3.3 mm
MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
Увага: HTML не підтримується! Використовуйте звичайний текст!

Про виробника

VISHAY / SILICONIX

VISHAY / SILICONIX

Vishay Intertechnology — международная компания, один из крупнейших поставщиков прецизионных дискретных полупроводниковых приборов и пассивных электронных компонентов в мире.... Детально...