SQS423EN-T1_GE3 Vishay / Siliconix МОП-транзистор P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
Виробник: VISHAY / SILICONIX
Код товару: SQS423EN-T1_GE3
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: SQS423EN-T1_GE3
Id - непрерывный ток утечки
- 16 A
Pd - рассеивание мощности
62.5 W
Qg - заряд затвора
26 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
0.018 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
- 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
+/- 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
- 2.5 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
43 ns
Время спада
15 ns
Высота
1.04 mm
Длина
3.3 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
TrenchFET
Конфигурация
1 P-Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
18 S
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
P-Channel
Серия
SQ
Технология
Si
Тип корпуса
PowerPAK-1212-8
Тип транзистора
1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
23 ns
Типичное время задержки при включении
65 ns
Торговая марка
Vishay / Siliconix
Упаковка
Reel
Ширина
3.3 mm
MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
Про виробника
VISHAY / SILICONIX
Vishay Intertechnology — международная компания, один из крупнейших поставщиков прецизионных дискретных полупроводниковых приборов и пассивных электронных компонентов в мире.... Детально...