C3M0120090D Wolfspeed / Cree МОП-транзистор G3 SiC МОП-транзистор 900V, 120mOhm
Виробник: WOLFSPEED / CREE
Код товару: C3M0120090D
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: C3M0120090D
Id - непрерывный ток утечки
23 A
Pd - рассеивание мощности
97 W
Qg - заряд затвора
17.3 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
120 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
900 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.1 V
Вес изделия
38 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
10 ns
Время спада
8 ns
Высота
21.1 m
Длина
16.13 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
30
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Продукт
Power MOSFET
Технология
SiC
Тип
Silicon Carbide MOSFET
Тип корпуса
TO-247-3
Типичное время задержки выключения
25 ns
Типичное время задержки при включении
27 ns
Торговая марка
Wolfspeed / Cree
Упаковка
Tube
Ширина
5.21 mm
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120mOhm
Про виробника
WOLFSPEED / CREE
RF | Wolfspeed - является ведущим мировым новатором и производителем широкополосных полупроводников, которые были значительно превосходят современные технологии в области сохранения, преобразования и использования энергии.... Детально...