C3M0280090J Wolfspeed / Cree МОП-транзистор G3 SiC МОП-транзистор 900V, 280 mOhm
Виробник: WOLFSPEED / CREE
Код товару: C3M0280090J
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: C3M0280090J
Id - непрерывный ток утечки
11 A
Pd - рассеивание мощности
50 W
Qg - заряд затвора
9.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
385 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
900 V
Vgs - напряжение затвор-исток
- 8 V, + 18 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.8 V
Вес изделия
1,600 g
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
6.5 ns
Время спада
4 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
50
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
3.1 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Продукт
Power MOSFET
Технология
SiC
Тип
Silicon Carbide MOSFET
Тип корпуса
TO-263-7
Типичное время задержки выключения
11 ns
Типичное время задержки при включении
10.5 ns
Торговая марка
Wolfspeed / Cree
Упаковка
Tube
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
Про виробника
WOLFSPEED / CREE
RF | Wolfspeed - является ведущим мировым новатором и производителем широкополосных полупроводников, которые были значительно превосходят современные технологии в области сохранения, преобразования и использования энергии.... Детально...