DIODES INCORPORATED

Diodes Incorporated - американский производитель и поставщик дискретных, логических, аналоговых и смешанных полупроводников. Штаб-квартира находится в Плано, штат Техас, США.

Порівняння товарів (0)

Сортувати:

Показувати:

DMN1029UFDB-7 Diodes Incorporated МОП-транзистор 20V N-Ch Enh Mode 8Vgs 914pF 10.5nC DMN1029UFDB-7

DIODES INCORPORATED

MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgs 914pF 10.5nC..

5.6 A, 5.6 A 1.4 W 19.6 nC, 19.6 nC 17 mOhms, 17 mOhms 12 V, 12 V

Мін. замовлення: 1 шт.

DMN1032UCB4-7 Diodes Incorporated МОП-транзистор 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W DMN1032UCB4-7

DIODES INCORPORATED

MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W..

4.8 A 1.16 W 3.2 nC 38 mOhms 12 V

Мін. замовлення: 1 шт.

DMN1033UCB4-7 Diodes Incorporated МОП-транзистор N-Ch Enh Mode FET 12V 26mOhm4.5V 5.5A DMN1033UCB4-7

DIODES INCORPORATED

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 12V 26mOhm4.5V 5.5A..

3000 2 Channel N-Channel DMN10 Si

Мін. замовлення: 3000 шт.

DMN1045UFR4-7 Diodes Incorporated МОП-транзистор N-Ch Enh Mode FET 12V 3.2A 8Vgss DMN1045UFR4-7

DIODES INCORPORATED

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 12V 3.2A 8Vgss..

3.2 A 1.26 W 4.8 nC 25 mOhms 12 V

Мін. замовлення: 1 шт.

DMN1054UCB4-7 Diodes Incorporated МОП-транзистор N-Ch Enh Mode FET 8Vdss 5Vgss 15A DMN1054UCB4-7

DIODES INCORPORATED

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 8Vdss 5Vgss 15A..

4 A 1.34 W 15 nC 35 mOhms 8 V

Мін. замовлення: 1 шт.

DMN10H099SFG-13 Diodes Incorporated МОП-транзистор 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC DMN10H099SFG-13

DIODES INCORPORATED

MOSFET 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC..

4.2 A 25.2 nC 99 mOhms 100 V 72 mg

Мін. замовлення: 1 шт.

DMN10H099SFG-7 Diodes Incorporated МОП-транзистор 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC DMN10H099SFG-7

DIODES INCORPORATED

MOSFET 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC..

4.2 A 980 mW 25.2 nC 54 mOhms 100 V

Мін. замовлення: 1 шт.

DMN10H099SK3-13 Diodes Incorporated МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 20Vgs 1172pF 25.2nC DMN10H099SK3-13

DIODES INCORPORATED

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgs 1172pF 25.2nC..

17 A 34 W 25.2 nC 69 mOhms 100 V

Мін. замовлення: 1 шт.

DMN10H100SK3-13 Diodes Incorporated МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 100mOhm 3V DMN10H100SK3-13

DIODES INCORPORATED

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 100mOhm 3V..

18 A 37 W 25.2 nC 100 mOhms 100 V

Мін. замовлення: 1 шт.

DMN10H120SE-13 Diodes Incorporated МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 549pF 10nC DMN10H120SE-13

DIODES INCORPORATED

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 549pF 10nC..

3.6 A 2.1 W 10 nC 77 mOhms 100 V

Мін. замовлення: 1 шт.

DMN10H120SFG-13 Diodes Incorporated МОП-транзистор FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF DMN10H120SFG-13

DIODES INCORPORATED

MOSFET FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF..

3.8 A 1 W 10.6 nC 68 mOhms 100 V

Мін. замовлення: 1 шт.

DMN10H120SFG-7 Diodes Incorporated МОП-транзистор FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF DMN10H120SFG-7

DIODES INCORPORATED

MOSFET FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF..

2000 1 Channel N-Channel D0H120 Si

Мін. замовлення: 1 шт.

DMN10H170SFDE-13 Diodes Incorporated МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.9A 0.66W DMN10H170SFDE-13

DIODES INCORPORATED

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.9A 0.66W..

10000 1 Channel N-Channel DMN10 Si

Мін. замовлення: 10000 шт.

DMN10H170SFDE-7 Diodes Incorporated МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.9A 0.66W DMN10H170SFDE-7

DIODES INCORPORATED

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.9A 0.66W..

3000 1 Channel N-Channel DMN10 Si

Мін. замовлення: 1 шт.

DMN10H170SFG-7 Diodes Incorporated МОП-транзистор N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss DMN10H170SFG-7

DIODES INCORPORATED

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss..

2.9 A 2 W 14.9 nC 122 mOhms 100 V

Мін. замовлення: 1 шт.

DMN10H170SK3-13 Diodes Incorporated МОП-транзистор 100V N-CH МОП-транзистор 100V 12A DMN10H170SK3-13

DIODES INCORPORATED

MOSFET 100V N-CH MOSFET 100V 12A..

12 A 42 W 9.7 nC 140 mOhms 100 V

Мін. замовлення: 1 шт.

DMN10H170SVT-13 Diodes Incorporated МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W DMN10H170SVT-13

DIODES INCORPORATED

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W..

10000 1 Channel N-Channel DMN10 Si

Мін. замовлення: 10000 шт.

DMN10H170SVT-7 Diodes Incorporated МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W DMN10H170SVT-7

DIODES INCORPORATED

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W..

2.6 A 1.2 W 9.7 nC 115 mOhms 100 V

Мін. замовлення: 1 шт.

DMN10H170SVTQ-13 Diodes Incorporated МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS DMN10H170SVTQ-13

DIODES INCORPORATED

MOSFET MOSFET BVDSS..

10000 DMN10H170 Si TSOT-26-6 Diodes Incorporated

Мін. замовлення: 10000 шт.

DMN10H220L-13 Diodes Incorporated МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W DMN10H220L-13

DIODES INCORPORATED

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W..

1.6 A 1.3 W 8.3 nC 220 mOhms 100 V

Мін. замовлення: 1 шт.

DMN10H220L-7 Diodes Incorporated МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W DMN10H220L-7

DIODES INCORPORATED

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W..

1.6 A 1.3 W 8.3 nC 220 mOhms 100 V

Мін. замовлення: 1 шт.

DMN10H220LE-13 Diodes Incorporated МОП-транзистор FET BVDSS 61V 100V N-Ch 3A 401pF 8.3nC DMN10H220LE-13

DIODES INCORPORATED

MOSFET FET BVDSS 61V 100V N-Ch 3A 401pF 8.3nC..

2.3 A 1.8 W 8.3 nC 220 mOhms 100 V

Мін. замовлення: 1 шт.

DMN10H220LQ-7 Diodes Incorporated МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R 3K DMN10H220LQ-7

DIODES INCORPORATED

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R 3K..

3000 Si Diodes Incorporated Reel

Мін. замовлення: 1 шт.

DMN10H220LVT-13 Diodes Incorporated МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs DMN10H220LVT-13

DIODES INCORPORATED

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs..

10000 1 Channel N-Channel DMN10 Si

Мін. замовлення: 10000 шт.

DMN10H220LVT-7 Diodes Incorporated МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs DMN10H220LVT-7

DIODES INCORPORATED

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs..

2.24 A 1.67 W 8.3 nC 250 mOhms 100 V

Мін. замовлення: 1 шт.

Показано с 251 по 275 з 1296 (всього 52 сторінок)