Купить транзисторы MOSFET Київ Україна TOSHIBA, VISHAY

Порівняння товарів (0)

Сортувати:

Показувати:

SIR638DP-T1-GE3 Vishay MOSFET 40V Vds 100A Id 0.00088Vgs Rds(On) SIR638DP-T1-GE3

VISHAY

MOSFET 40V Vds 100A Id 0.00088Vgs Rds(On)..

склад: -10 шт.

Ціна без ПДВ: 62 грн

Мін. замовлення: 5 шт.

SSM3J332R,LF Toshiba MOSFET SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSS SSM3J332R,LF

TOSHIBA

MOSFET SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSS..

склад: -20 шт.

Ціна без ПДВ: 28 грн

Мін. замовлення: 5 шт.

2SJ168TE85LF Toshiba MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -0.2A -60V 20V 2SJ168TE85LF

TOSHIBA

MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -0.2A -60V 20V..

- 200 mA 200 mW 1.3 Ohms - 60 V - 3.5 V

Мін. замовлення: 1 шт.

2SJ305TE85LF Toshiba MOSFET P-Ch Vth -0.5 -1.5V RDS 2.4Ohm 200mW 2SJ305TE85LF

TOSHIBA

MOSFET P-Ch Vth -0.5 -1.5V RDS 2.4Ohm 200mW..

- 200 mA 200 mW 2.4 Ohms - 30 V 20 V

Мін. замовлення: 1 шт.

2SK2009TE85LF Toshiba MOSFET N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V 2SK2009TE85LF

TOSHIBA

MOSFET N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V..

200 mA 200 mW 1.2 Ohms 30 V 20 V

Мін. замовлення: 1 шт.

2SK3566(STA4,Q,M) Toshiba MOSFET N-Ch 900V 2.5A Rdson 6.4 Ohm 2SK3566(STA4,Q,M)

TOSHIBA

MOSFET N-Ch 900V 2.5A Rdson 6.4 Ohm..

2.5 A 40 W 12 nC 5.6 Ohms 900 V

Мін. замовлення: 1 шт.

2SK3700(F) Toshiba MOSFET N-Ch 700V PWR FET ID 5A PD 150W 1150pF 2SK3700(F)

TOSHIBA

MOSFET N-Ch 700V PWR FET ID 5A PD 150W 1150pF..

5 A 150 W 2.5 Ohms 900 V 38 g

Мін. замовлення: 1 шт.

SIR638DP-T1-RE3 Vishay MOSFET 40V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8 SIR638DP-T1-RE3

VISHAY

MOSFET 40V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8..

6000 TrenchFET SIR638DP Vishay Reel

Мін. замовлення: 1 шт.

SIR846ADP-T1-GE3 Vishay MOSFET 100V 7.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET SIR846ADP-T1-GE3

VISHAY

MOSFET 100V 7.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET..

506,600 mg 1.04 mm 6.15 mm SIR846ADP-GE3 3000

Мін. замовлення: 1 шт.

SIR846ADP-T1-RE3 Vishay MOSFET 100V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8 SIR846ADP-T1-RE3

VISHAY

MOSFET 100V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8..

3000 TrenchFET SIR846ADP Vishay Reel

Мін. замовлення: 1 шт.

SIRA16DP-T1-GE3 Vishay MOSFET 30V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8 SIRA16DP-T1-GE3

VISHAY

MOSFET 30V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8..

1.04 mm 6.15 mm 3000 SIRA16DP Si

Мін. замовлення: 1 шт.

SIRA84DP-T1-GE3 Vishay MOSFET 30V Vds PowerPAK 60A Id 20/-16V Vgs SIRA84DP-T1-GE3

VISHAY

MOSFET 30V Vds PowerPAK 60A Id 20/-16V Vgs..

60 A 34.7 W 25 nC 4.6 mOhms 30 V

Мін. замовлення: 1 шт.

SIRC10DP-T1-GE3 Vishay MOSFET 30V Vds PowerPAK w/Schottky SKYFET SIRC10DP-T1-GE3

VISHAY

MOSFET 30V Vds PowerPAK w/Schottky SKYFET..

60 A 43 W 24 nC 3.5 mOhms 30 V

Мін. замовлення: 1 шт.

SIZ926DT-T1-GE3 Vishay MOSFET 25V Vds Dual N-Ch PowerPAIR 6x5 SIZ926DT-T1-GE3

VISHAY

MOSFET 25V Vds Dual N-Ch PowerPAIR 6x5..

40 A, 60 A 20.2 W, 40 W 12.5 nC, 27 nC 2.2 mOhms, 4.8 mOhms 25 V

Мін. замовлення: 1 шт.

SQ3419AEEV-T1_GE3 Vishay MOSFET -40V Vds TSOP-6 AEC-Q101 Qualified SQ3419AEEV-T1_GE3

VISHAY

MOSFET -40V Vds TSOP-6 AEC-Q101 Qualified..

3000 TrenchFET SQ3419AEEV Si Vishay

Мін. замовлення: 1 шт.

SQD19P06-60L_GE3 Vishay MOSFET 60V 20A 46W AEC-Q101 Qualified SQD19P06-60L_GE3

VISHAY

MOSFET 60V 20A 46W AEC-Q101 Qualified..

- 20 A 46 W 41 nC 0.046 Ohms - 60 V

Мін. замовлення: 1 шт.

SQD19P06-60L_T4GE3 Vishay MOSFET -60V Vds TO-252 AEC-Q101 Qualified SQD19P06-60L_T4GE3

VISHAY

MOSFET -60V Vds TO-252 AEC-Q101 Qualified..

2500 TrenchFET SQD19P06-60L Vishay Reel

Мін. замовлення: 1 шт.

SSM3J112TU(TE85L) Toshiba MOSFET Vds=-30V Id=-1.1A 3Pin SSM3J112TU(TE85L)

TOSHIBA

MOSFET Vds=-30V Id=-1.1A 3Pin..

- 1.1 A 800 mW 610 mOhms - 30 V 20 V

Мін. замовлення: 1 шт.

SSM3J113TU(TE85L) Toshiba MOSFET Vds=-20V Id=-1.7A 3Pin SSM3J113TU(TE85L)

TOSHIBA

MOSFET Vds=-20V Id=-1.7A 3Pin..

- 1.7 A 800 mW 189 mOhms - 20 V 12 V

Мін. замовлення: 1 шт.

SSM3J117TU,LF Toshiba MOSFET Vds=-30V Id=-2A 3Pin SSM3J117TU,LF

TOSHIBA

MOSFET Vds=-30V Id=-2A 3Pin..

- 2 A 800 mW 225 mOhms - 30 V +/- 20 V

Мін. замовлення: 1 шт.

SSM3J129TU(T5L,T) Toshiba MOSFET Small-signal FET 0.137Ohm -4.6A -20V SSM3J129TU(T5L,T)

TOSHIBA

MOSFET Small-signal FET 0.137Ohm -4.6A -20V..

0.7 mm 2 mm 3000 SSM3J129 Si

Мін. замовлення: 1 шт.

SSM3J130TU(TE85L) Toshiba MOSFET Single P-ch 20V 4.4A SSM3J130TU(TE85L)

TOSHIBA

MOSFET Single P-ch 20V 4.4A..

- 4.4 A 25.8 mOhms - 20 V 0.7 mm 2 mm

Мін. замовлення: 1 шт.

SSM3J130TU,LF Toshiba MOSFET Small-signal FET 24.8 nC -4.4A -20V SSM3J130TU,LF

TOSHIBA

MOSFET Small-signal FET 24.8 nC -4.4A -20V..

0.7 mm 2 mm 3000 SSM3J130 Si

Мін. замовлення: 1 шт.

SSM3J132TU,LF Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V SSM3J132TU,LF

TOSHIBA

MOSFET Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V..

- 5.4 A 1 W 33 nC 14 mOhms - 12 V

Мін. замовлення: 1 шт.

SSM3J133TU,LF Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET P-Channel SSM3J133TU,LF

TOSHIBA

MOSFET Small-signal MOSFET P-Channel..

- 5.5 A 1 W 12.8 nC 24.9 mOhms - 20 V

Мін. замовлення: 1 шт.

Показано с 1 по 25 з 508 (всього 21 сторінок)

Ви дивились

Semikron SKUT 115/12T V2 1200V тиристорно диодный модуль

AUIRF1404S Infineon Technologies MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms

MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms..

162 A 200 W 160 nC 4 mOhms 40 V

AUIRF1010EZ Infineon Technologies MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms

MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms..

84 A 140 W 58 nC 8.5 mOhms 60 V

2N7002H6327XT Infineon Technologies MOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-23-3

MOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-23-3..

300 mA 500 mW (1/2 W) 600 pC 1.6 Ohms 60 V

Транзисторы MOSFET TOSHIBA, VISHAY

Параметри

SIR638DP-T1-GE3 Vishay MOSFET 40V Vds 100A Id 0.00088Vgs Rds(On) SIR638DP-T1-GE3

SSM3J332R,LF Toshiba MOSFET SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSS SSM3J332R,LF

2SJ168TE85LF Toshiba MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -0.2A -60V 20V 2SJ168TE85LF

2SJ305TE85LF Toshiba MOSFET P-Ch Vth -0.5 -1.5V RDS 2.4Ohm 200mW 2SJ305TE85LF

2SK2009TE85LF Toshiba MOSFET N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V 2SK2009TE85LF

2SK3566(STA4,Q,M) Toshiba MOSFET N-Ch 900V 2.5A Rdson 6.4 Ohm 2SK3566(STA4,Q,M)

2SK3700(F) Toshiba MOSFET N-Ch 700V PWR FET ID 5A PD 150W 1150pF 2SK3700(F)

SIR638DP-T1-RE3 Vishay MOSFET 40V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8 SIR638DP-T1-RE3

SIR846ADP-T1-GE3 Vishay MOSFET 100V 7.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET SIR846ADP-T1-GE3

SIR846ADP-T1-RE3 Vishay MOSFET 100V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8 SIR846ADP-T1-RE3

SIRA16DP-T1-GE3 Vishay MOSFET 30V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8 SIRA16DP-T1-GE3

SIRA84DP-T1-GE3 Vishay MOSFET 30V Vds PowerPAK 60A Id 20/-16V Vgs SIRA84DP-T1-GE3

SIRC10DP-T1-GE3 Vishay MOSFET 30V Vds PowerPAK w/Schottky SKYFET SIRC10DP-T1-GE3

SIZ926DT-T1-GE3 Vishay MOSFET 25V Vds Dual N-Ch PowerPAIR 6x5 SIZ926DT-T1-GE3

SQ3419AEEV-T1_GE3 Vishay MOSFET -40V Vds TSOP-6 AEC-Q101 Qualified SQ3419AEEV-T1_GE3

SQD19P06-60L_GE3 Vishay MOSFET 60V 20A 46W AEC-Q101 Qualified SQD19P06-60L_GE3

SQD19P06-60L_T4GE3 Vishay MOSFET -60V Vds TO-252 AEC-Q101 Qualified SQD19P06-60L_T4GE3

SSM3J112TU(TE85L) Toshiba MOSFET Vds=-30V Id=-1.1A 3Pin SSM3J112TU(TE85L)

SSM3J113TU(TE85L) Toshiba MOSFET Vds=-20V Id=-1.7A 3Pin SSM3J113TU(TE85L)

SSM3J117TU,LF Toshiba MOSFET Vds=-30V Id=-2A 3Pin SSM3J117TU,LF

SSM3J129TU(T5L,T) Toshiba MOSFET Small-signal FET 0.137Ohm -4.6A -20V SSM3J129TU(T5L,T)

SSM3J130TU(TE85L) Toshiba MOSFET Single P-ch 20V 4.4A SSM3J130TU(TE85L)

SSM3J130TU,LF Toshiba MOSFET Small-signal FET 24.8 nC -4.4A -20V SSM3J130TU,LF

SSM3J132TU,LF Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V SSM3J132TU,LF

SSM3J133TU,LF Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET P-Channel SSM3J133TU,LF

Ви дивились

Semikron SKUT 115/12T V2 1200V тиристорно диодный модуль

AUIRF1404S Infineon Technologies MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms

AUIRF1010EZ Infineon Technologies MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms

2N7002H6327XT Infineon Technologies MOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-23-3