Транзисторы MOSFET Макс. темп. + 110 C, + 200 C

Транзисторы MOSFET Макс. темп. + 110 C, + 200 C

Порівняння товарів (0)



CPC3708CTR IXYS Integrated Circuits MOSFET N-Channel Depletion Mode FET CPC3708CTR

IXYS INTEGRATED CIRCUITS

MOSFET N-Channel Depletion Mode FET..

5 mA 1.1 W 8 Ohms 350 V 20 V

Мін. замовлення: 1 шт.

CPC3708ZTR IXYS Integrated Circuits MOSFET N-Channel Depletion Mode FET CPC3708ZTR

IXYS INTEGRATED CIRCUITS

MOSFET N-Channel Depletion Mode FET..

5 mA 2.5 W 8 Ohms 350 V 20 V

Мін. замовлення: 1 шт.

CPC3982TTR IXYS Integrated Circuits MOSFET N-Ch Depletion Mode Vertical DMOS FET CPC3982TTR

IXYS INTEGRATED CIRCUITS

MOSFET N-Ch Depletion Mode Vertical DMOS FET..

20 mA 400 mW 380 Ohms 800 V 15 V

Мін. замовлення: 1 шт.

SCT1000N170 STMicroelectronics MOSFET SCT1000N170

STMICROELECTRONICS

MOSFET..

6 A 120 W 14 nC 1 Ohms 1700 V

Мін. замовлення: 1 шт.

SCT10N120 STMicroelectronics MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 10 A, 550 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package SCT10N120

STMICROELECTRONICS

MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 10 A, 550 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package..

12 A 150 W 22 nC 500 mOhms 1.2 kV

Мін. замовлення: 1 шт.

SCT20N120 STMicroelectronics MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET SCT20N120

STMICROELECTRONICS

MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET..

20 A 175 W 45 nC 215 mOhms 1.2 kV

Мін. замовлення: 1 шт.

SCT30N120 STMicroelectronics MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET SCT30N120

STMICROELECTRONICS

MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET..

45 A 270 W 105 nC 80 mOhms 1.2 kV

Мін. замовлення: 1 шт.

SCT50N120 STMicroelectronics MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package SCT50N120

STMICROELECTRONICS

MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package..

65 A 318 W 122 nC 52 mOhms 1.2 kV

Мін. замовлення: 1 шт.

SCTWA50N120 STMicroelectronics MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package SCTWA50N120

STMICROELECTRONICS

MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads ..

65 A 318 W 122 nC 52 mOhms 1200 V

Мін. замовлення: 1 шт.
Показано с 1 по 9 з 9 (всього 1 сторінок)