SCT1000N170 STMicroelectronics MOSFET SCT1000N170
STMICROELECTRONICS
MOSFET..
6 A
120 W
14 nC
1 Ohms
1700 V
Мін. замовлення: 1 шт.
SCT10N120 STMicroelectronics MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 10 A, 550 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package SCT10N120
STMICROELECTRONICS
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 10 A, 550 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package..
12 A
150 W
22 nC
500 mOhms
1.2 kV
Мін. замовлення: 1 шт.
SCT20N120 STMicroelectronics MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET SCT20N120
STMICROELECTRONICS
MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET..
20 A
175 W
45 nC
215 mOhms
1.2 kV
Мін. замовлення: 1 шт.
SCT30N120 STMicroelectronics MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET SCT30N120
STMICROELECTRONICS
MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET..
45 A
270 W
105 nC
80 mOhms
1.2 kV
Мін. замовлення: 1 шт.
SCT50N120 STMicroelectronics MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package SCT50N120
STMICROELECTRONICS
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package..
65 A
318 W
122 nC
52 mOhms
1.2 kV
Мін. замовлення: 1 шт.
SCTWA50N120 STMicroelectronics MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package SCTWA50N120
STMICROELECTRONICS
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads ..
65 A
318 W
122 nC
52 mOhms
1200 V
Мін. замовлення: 1 шт.
Показано с 1 по 6 з 6 (всього 1 сторінок)