Транзисторы MOSFET Макс. темп. + 185 C, + 200 C

Транзисторы MOSFET Макс. темп. + 185 C, + 200 C

Порівняння товарів (0)



BUK7207-30B,118 Nexperia MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS BUK7207-30B,118

NEXPERIA

MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS..

112 A 167 W 7 mOhms 30 V 20 V

Мін. замовлення: 1 шт.

BUK7208-40B,118 Nexperia MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS BUK7208-40B,118

NEXPERIA

MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS..

105 A 167 W 8 mOhms 40 V 20 V

Мін. замовлення: 1 шт.

BUK7212-55B,118 Nexperia MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS BUK7212-55B,118

NEXPERIA

MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS..

83 A 167 W 12 mOhms 55 V 20 V

Мін. замовлення: 1 шт.

BUK7214-75B,118 Nexperia MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS BUK7214-75B,118

NEXPERIA

MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS..

70 A 167 W 14 mOhms 75 V 20 V

Мін. замовлення: 1 шт.

BUK7227-100B,118 Nexperia MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS BUK7227-100B,118

NEXPERIA

MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS..

48 A 167 W 27 mOhms 100 V 20 V

Мін. замовлення: 1 шт.

BUK9207-30B,118 Nexperia MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS BUK9207-30B,118

NEXPERIA

MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS..

112 A 167 W 5 mOhms 30 V 15 V

Мін. замовлення: 1 шт.

BUK9212-55B,118 Nexperia MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS BUK9212-55B,118

NEXPERIA

MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS..

83 A 167 W 10 mOhms 55 V 15 V

Мін. замовлення: 1 шт.

BUK9217-75B,118 Nexperia MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS BUK9217-75B,118

NEXPERIA

MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS..

64 A 167 W 15 mOhms 75 V 15 V

Мін. замовлення: 1 шт.

BUK9230-100B,118 Nexperia MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS BUK9230-100B,118

NEXPERIA

MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS..

47 A 167 W 28 mOhms 100 V 15 V

Мін. замовлення: 1 шт.

SCT1000N170 STMicroelectronics MOSFET SCT1000N170

STMICROELECTRONICS

MOSFET..

6 A 120 W 14 nC 1 Ohms 1700 V

Мін. замовлення: 1 шт.

SCT10N120 STMicroelectronics MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 10 A, 550 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package SCT10N120

STMICROELECTRONICS

MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 10 A, 550 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package..

12 A 150 W 22 nC 500 mOhms 1.2 kV

Мін. замовлення: 1 шт.

SCT20N120 STMicroelectronics MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET SCT20N120

STMICROELECTRONICS

MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET..

20 A 175 W 45 nC 215 mOhms 1.2 kV

Мін. замовлення: 1 шт.

SCT30N120 STMicroelectronics MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET SCT30N120

STMICROELECTRONICS

MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET..

45 A 270 W 105 nC 80 mOhms 1.2 kV

Мін. замовлення: 1 шт.

SCT50N120 STMicroelectronics MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package SCT50N120

STMICROELECTRONICS

MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package..

65 A 318 W 122 nC 52 mOhms 1.2 kV

Мін. замовлення: 1 шт.

SCTWA50N120 STMicroelectronics MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package SCTWA50N120

STMICROELECTRONICS

MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads ..

65 A 318 W 122 nC 52 mOhms 1200 V

Мін. замовлення: 1 шт.
Показано с 1 по 15 з 15 (всього 1 сторінок)