Кошик порожній!
Порівняння товарів (0)
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS..
MOSFET..
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 10 A, 550 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package..
MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET..
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package..
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads ..
реле для печатного монтажа Gullwing NoLatch 3.2 DPDT 4.5VDC 100mW..
контроллер 2 Axis Positioning Controller..
оптопара с фототранзисторным вихідом SMT Type 4 Direction Detector..