+38(099)0510999
Понеділок - П'ятниця, з 10:00 до 18:00

  • Кошик порожній!

Транзисторы MOSFET Макс. темп. + 100 C, + 200 C

Транзисторы MOSFET Макс. темп. + 100 C, + 200 C

Порівняння товарів (0)

DMC3021LSDQ-13 Diodes Incorporated МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS 30V Comp Pair

DMC3021LSDQ-13 Diodes Incorporated МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS 30V Comp Pair DMC3021LSDQ-13

DIODES INCORPORATED

MOSFET MOSFET BVDSS 30V Comp Pair..

8.5 A, 7 A 2.5 W 16.1 nC, 21.1 nC 14 mOhms, - 30 mOhms 30 V, - 30 V

Мін. замовлення: 1 шт.
SCT1000N170 STMicroelectronics MOSFET

SCT1000N170 STMicroelectronics MOSFET SCT1000N170

STMICROELECTRONICS

MOSFET..

6 A 120 W 14 nC 1 Ohms 1700 V

Мін. замовлення: 1 шт.
SCT10N120 STMicroelectronics MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 10 A, 550 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package

SCT10N120 STMicroelectronics MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 10 A, 550 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package SCT10N120

STMICROELECTRONICS

MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 10 A, 550 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package..

12 A 150 W 22 nC 500 mOhms 1.2 kV

Мін. замовлення: 1 шт.
SCT20N120 STMicroelectronics MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET

SCT20N120 STMicroelectronics MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET SCT20N120

STMICROELECTRONICS

MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET..

20 A 175 W 45 nC 215 mOhms 1.2 kV

Мін. замовлення: 1 шт.
SCT30N120 STMicroelectronics MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET

SCT30N120 STMicroelectronics MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET SCT30N120

STMICROELECTRONICS

MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET..

45 A 270 W 105 nC 80 mOhms 1.2 kV

Мін. замовлення: 1 шт.
SCT50N120 STMicroelectronics MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package

SCT50N120 STMicroelectronics MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package SCT50N120

STMICROELECTRONICS

MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package..

65 A 318 W 122 nC 52 mOhms 1.2 kV

Мін. замовлення: 1 шт.
SCTWA50N120 STMicroelectronics MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package

SCTWA50N120 STMicroelectronics MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package SCTWA50N120

STMICROELECTRONICS

MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads ..

65 A 318 W 122 nC 52 mOhms 1200 V

Мін. замовлення: 1 шт.
SQ1421EDH-T1_GE3 Vishay Semiconductors MOSFET 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified

SQ1421EDH-T1_GE3 Vishay Semiconductors MOSFET 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified SQ1421EDH-T1_GE3

VISHAY SEMICONDUCTORS

MOSFET 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified..

- 1.6 A 2.7 W 5.4 nC 0.23 Ohms - 60 V

Мін. замовлення: 1 шт.
Показано с 1 по 8 з 8 (всього 1 сторінок)

Ви дивились

VS-ST1230C12K0L

VS-ST1230C12K0L

тиристорный модуль Thyristors - K-PUK..

SIHD7N60ET1-GE3 Vishay / Siliconix MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS

SIHD7N60ET1-GE3 Vishay / Siliconix MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS

MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS..

1,438 g 2000 SIHD7N60E Si Vishay / Siliconix