+38(099)0510999
Понеділок - П'ятниця, з 10:00 до 18:00

  • Кошик порожній!

Транзисторы MOSFET Макс. темп. + 155 C, + 200 C

Транзисторы MOSFET Макс. темп. + 155 C, + 200 C

Порівняння товарів (0)

DMG4407SSS-13 Diodes Incorporated МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 31V-40 1V-40V SO-8 T&R 2.5K

DMG4407SSS-13 Diodes Incorporated МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 31V-40 1V-40V SO-8 T&R 2.5K DMG4407SSS-13

DIODES INCORPORATED

MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V SO-8 T&R 2.5K..

- 9.9 A 1.45 W 41 nC 17 mOhms - 30 V

Мін. замовлення: 1 шт.
FDMS3662 Fairchild Semiconductor МОП-транзистор 100V N-Channel PowerTrench

FDMS3662 Fairchild Semiconductor МОП-транзистор 100V N-Channel PowerTrench FDMS3662

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench..

8.9 A 2.5 W 14.8 mOhms 100 V 20 V

Мін. замовлення: 1 шт.
IRF7832PBF Infineon / IR МОП-транзистор 30V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 34nC

IRF7832PBF Infineon / IR МОП-транзистор 30V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 34nC IRF7832PBF

INFINEON / IR

MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 34nC..

20 A 2.5 W 34 nC 4.8 mOhms 30 V

Мін. замовлення: 1 шт.
SCT1000N170 STMicroelectronics MOSFET

SCT1000N170 STMicroelectronics MOSFET SCT1000N170

STMICROELECTRONICS

MOSFET..

6 A 120 W 14 nC 1 Ohms 1700 V

Мін. замовлення: 1 шт.
SCT10N120 STMicroelectronics MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 10 A, 550 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package

SCT10N120 STMicroelectronics MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 10 A, 550 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package SCT10N120

STMICROELECTRONICS

MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 10 A, 550 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package..

12 A 150 W 22 nC 500 mOhms 1.2 kV

Мін. замовлення: 1 шт.
SCT20N120 STMicroelectronics MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET

SCT20N120 STMicroelectronics MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET SCT20N120

STMICROELECTRONICS

MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET..

20 A 175 W 45 nC 215 mOhms 1.2 kV

Мін. замовлення: 1 шт.
SCT30N120 STMicroelectronics MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET

SCT30N120 STMicroelectronics MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET SCT30N120

STMICROELECTRONICS

MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET..

45 A 270 W 105 nC 80 mOhms 1.2 kV

Мін. замовлення: 1 шт.
SCT50N120 STMicroelectronics MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package

SCT50N120 STMicroelectronics MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package SCT50N120

STMICROELECTRONICS

MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package..

65 A 318 W 122 nC 52 mOhms 1.2 kV

Мін. замовлення: 1 шт.
SCTWA50N120 STMicroelectronics MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package

SCTWA50N120 STMicroelectronics MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package SCTWA50N120

STMICROELECTRONICS

MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads ..

65 A 318 W 122 nC 52 mOhms 1200 V

Мін. замовлення: 1 шт.
Показано с 1 по 9 з 9 (всього 1 сторінок)

Ви дивились

G6K-2P-Y-DC24

G6K-2P-Y-DC24

реле для печатного монтажа ThruHole NoLatch 3.2 DPDT 24VDC 100mW..

CJ1W-IDP01

CJ1W-IDP01

контроллер In PILSE CATCH 16pt DC24V..

ZB5AW363

ZB5AW363

кнопочный переключатель с подсветкой ILLUMINATED MOMNTARY FLUSH FOR LED BLUE..

SI4392ADY-T1-E3 Vishay / Siliconix MOSFET 30V 21.5A 6.25W

SI4392ADY-T1-E3 Vishay / Siliconix MOSFET 30V 21.5A 6.25W

MOSFET 30V 21.5A 6.25W..

187 mg 1.75 mm 4.9 mm SI4392ADY-E3 2500