Кошик порожній!
Порівняння товарів (0)
MOSFET SiC High Temperature JT..
MOSFET..
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 10 A, 550 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package..
MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET..
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package..
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads ..
..
тиристорный модуль Thyristors - K-PUK..
MOSFET N-Channel 650V..
контроллер In CJ1 DC24V 64 PT 4.1ma..