Купить транзисторы MOSFET Київ Україна GAN SYSTEMS, TOSHIBA

Порівняння товарів (0)

Сортувати:

Показувати:

SSM3J332R,LF Toshiba MOSFET SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSS SSM3J332R,LF

TOSHIBA

MOSFET SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSS..

склад: -20 шт.

Ціна без ПДВ: 28 грн

Мін. замовлення: 5 шт.

2SJ168TE85LF Toshiba MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -0.2A -60V 20V 2SJ168TE85LF

TOSHIBA

MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -0.2A -60V 20V..

- 200 mA 200 mW 1.3 Ohms - 60 V - 3.5 V

Мін. замовлення: 1 шт.

2SJ305TE85LF Toshiba MOSFET P-Ch Vth -0.5 -1.5V RDS 2.4Ohm 200mW 2SJ305TE85LF

TOSHIBA

MOSFET P-Ch Vth -0.5 -1.5V RDS 2.4Ohm 200mW..

- 200 mA 200 mW 2.4 Ohms - 30 V 20 V

Мін. замовлення: 1 шт.

2SK2009TE85LF Toshiba MOSFET N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V 2SK2009TE85LF

TOSHIBA

MOSFET N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V..

200 mA 200 mW 1.2 Ohms 30 V 20 V

Мін. замовлення: 1 шт.

2SK3566(STA4,Q,M) Toshiba MOSFET N-Ch 900V 2.5A Rdson 6.4 Ohm 2SK3566(STA4,Q,M)

TOSHIBA

MOSFET N-Ch 900V 2.5A Rdson 6.4 Ohm..

2.5 A 40 W 12 nC 5.6 Ohms 900 V

Мін. замовлення: 1 шт.

2SK3700(F) Toshiba MOSFET N-Ch 700V PWR FET ID 5A PD 150W 1150pF 2SK3700(F)

TOSHIBA

MOSFET N-Ch 700V PWR FET ID 5A PD 150W 1150pF..

5 A 150 W 2.5 Ohms 900 V 38 g

Мін. замовлення: 1 шт.

GS61004B-E01-MR GaN Systems MOSFET 100V 45A E-Mode GaN GS61004B-E01-MR

GAN SYSTEMS

MOSFET 100V 45A E-Mode GaN..

6.6 nC 15 mOhms 100 V 10 V 1.6 V

Мін. замовлення: 1 шт.

GS61008P-E05-MR GaN Systems MOSFET 100V 80A E-Mode GaN GS61008P-E05-MR

GAN SYSTEMS

MOSFET 100V 80A E-Mode GaN..

12 nC 7.4 mOhms 100 V 1.6 V SMD/SMT

Мін. замовлення: 1 шт.

GS61008T-E01-MR GaN Systems MOSFET 100V 90A E-Mode GaN GS61008T-E01-MR

GAN SYSTEMS

MOSFET 100V 90A E-Mode GaN..

7.4 mOhms 100 V 10 V 1.6 V SMD/SMT

Мін. замовлення: 1 шт.

GS66502B-E01-MR GaN Systems MOSFET 650V Enhancement Mode Transistor GS66502B-E01-MR

GAN SYSTEMS

MOSFET 650V Enhancement Mode Transistor..

7.5 A 1.7 nC 560 mOhms 650 V 10 V

Мін. замовлення: 1 шт.

GS66504B-E01-MR GaN Systems MOSFET 650V 15A E-Mode GaN GS66504B-E01-MR

GAN SYSTEMS

MOSFET 650V 15A E-Mode GaN..

3.3 nC 110 mOhms 650 V 10 V 1.6 V

Мін. замовлення: 1 шт.

GS66506T-E01-MR GaN Systems MOSFET 650V 22A E-Mode GaN GS66506T-E01-MR

GAN SYSTEMS

MOSFET 650V 22A E-Mode GaN..

4.9 nC 73 mOhms 650 V 10 V 1.6 V

Мін. замовлення: 1 шт.

GS66508B-E01-MR GaN Systems MOSFET 650V 30A E-Mode GaN GS66508B-E01-MR

GAN SYSTEMS

MOSFET 650V 30A E-Mode GaN..

30 A - 5.8 nC 50 mOhms 650 V

Мін. замовлення: 1 шт.

GS66508P-E05-MR GaN Systems MOSFET 650V 30A E-Mode GaN GS66508P-E05-MR

GAN SYSTEMS

MOSFET 650V 30A E-Mode GaN..

6.5 nC 55 mOhms 650 V 10 V 1.6 V

Мін. замовлення: 1 шт.

GS66508T-E02-MR GaN Systems MOSFET 650V 30A E-Mode GaN GS66508T-E02-MR

GAN SYSTEMS

MOSFET 650V 30A E-Mode GaN..

6.5 nC 55 mOhms 650 V 10 V 1.6 V

Мін. замовлення: 1 шт.

GS66516B-E01-MR GaN Systems MOSFET 650V, 60A E-Mode GaN GS66516B-E01-MR

GAN SYSTEMS

MOSFET 650V, 60A E-Mode GaN..

60 A - 12.1 nC 25 mOhms 650 V

Мін. замовлення: 1 шт.

GS66516T-E02-MR GaN Systems MOSFET 650V 60A E-Mode GaN GS66516T-E02-MR

GAN SYSTEMS

MOSFET 650V 60A E-Mode GaN..

13 nC 27 mOhms 650 V 10 V 1.6 V

Мін. замовлення: 1 шт.

SSM3J112TU(TE85L) Toshiba MOSFET Vds=-30V Id=-1.1A 3Pin SSM3J112TU(TE85L)

TOSHIBA

MOSFET Vds=-30V Id=-1.1A 3Pin..

- 1.1 A 800 mW 610 mOhms - 30 V 20 V

Мін. замовлення: 1 шт.

SSM3J113TU(TE85L) Toshiba MOSFET Vds=-20V Id=-1.7A 3Pin SSM3J113TU(TE85L)

TOSHIBA

MOSFET Vds=-20V Id=-1.7A 3Pin..

- 1.7 A 800 mW 189 mOhms - 20 V 12 V

Мін. замовлення: 1 шт.

SSM3J117TU,LF Toshiba MOSFET Vds=-30V Id=-2A 3Pin SSM3J117TU,LF

TOSHIBA

MOSFET Vds=-30V Id=-2A 3Pin..

- 2 A 800 mW 225 mOhms - 30 V +/- 20 V

Мін. замовлення: 1 шт.

SSM3J129TU(T5L,T) Toshiba MOSFET Small-signal FET 0.137Ohm -4.6A -20V SSM3J129TU(T5L,T)

TOSHIBA

MOSFET Small-signal FET 0.137Ohm -4.6A -20V..

0.7 mm 2 mm 3000 SSM3J129 Si

Мін. замовлення: 1 шт.

SSM3J130TU(TE85L) Toshiba MOSFET Single P-ch 20V 4.4A SSM3J130TU(TE85L)

TOSHIBA

MOSFET Single P-ch 20V 4.4A..

- 4.4 A 25.8 mOhms - 20 V 0.7 mm 2 mm

Мін. замовлення: 1 шт.

SSM3J130TU,LF Toshiba MOSFET Small-signal FET 24.8 nC -4.4A -20V SSM3J130TU,LF

TOSHIBA

MOSFET Small-signal FET 24.8 nC -4.4A -20V..

0.7 mm 2 mm 3000 SSM3J130 Si

Мін. замовлення: 1 шт.

SSM3J132TU,LF Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V SSM3J132TU,LF

TOSHIBA

MOSFET Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V..

- 5.4 A 1 W 33 nC 14 mOhms - 12 V

Мін. замовлення: 1 шт.

SSM3J133TU,LF Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET P-Channel SSM3J133TU,LF

TOSHIBA

MOSFET Small-signal MOSFET P-Channel..

- 5.5 A 1 W 12.8 nC 24.9 mOhms - 20 V

Мін. замовлення: 1 шт.

Показано с 1 по 25 з 507 (всього 21 сторінок)

Ви дивились

AUIRF1404STRL Infineon Technologies MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms

MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms..

162 A 200 W 160 nC 4 mOhms 40 V

EE-SPY412

оптопара с фототранзисторным вихідом Light-on 5mm Top-detecting..

SIR696DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix MOSFET N-Ch 125V Vds 19.4nC Qg Typ

MOSFET N-Ch 125V Vds 19.4nC Qg Typ..

1.04 mm 6.15 mm 3000 SIR Si

Транзисторы MOSFET GAN SYSTEMS, TOSHIBA

Параметри

SSM3J332R,LF Toshiba MOSFET SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSS SSM3J332R,LF

2SJ168TE85LF Toshiba MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -0.2A -60V 20V 2SJ168TE85LF

2SJ305TE85LF Toshiba MOSFET P-Ch Vth -0.5 -1.5V RDS 2.4Ohm 200mW 2SJ305TE85LF

2SK2009TE85LF Toshiba MOSFET N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V 2SK2009TE85LF

2SK3566(STA4,Q,M) Toshiba MOSFET N-Ch 900V 2.5A Rdson 6.4 Ohm 2SK3566(STA4,Q,M)

2SK3700(F) Toshiba MOSFET N-Ch 700V PWR FET ID 5A PD 150W 1150pF 2SK3700(F)

GS61004B-E01-MR GaN Systems MOSFET 100V 45A E-Mode GaN GS61004B-E01-MR

GS61008P-E05-MR GaN Systems MOSFET 100V 80A E-Mode GaN GS61008P-E05-MR

GS61008T-E01-MR GaN Systems MOSFET 100V 90A E-Mode GaN GS61008T-E01-MR

GS66502B-E01-MR GaN Systems MOSFET 650V Enhancement Mode Transistor GS66502B-E01-MR

GS66504B-E01-MR GaN Systems MOSFET 650V 15A E-Mode GaN GS66504B-E01-MR

GS66506T-E01-MR GaN Systems MOSFET 650V 22A E-Mode GaN GS66506T-E01-MR

GS66508B-E01-MR GaN Systems MOSFET 650V 30A E-Mode GaN GS66508B-E01-MR

GS66508P-E05-MR GaN Systems MOSFET 650V 30A E-Mode GaN GS66508P-E05-MR

GS66508T-E02-MR GaN Systems MOSFET 650V 30A E-Mode GaN GS66508T-E02-MR

GS66516B-E01-MR GaN Systems MOSFET 650V, 60A E-Mode GaN GS66516B-E01-MR

GS66516T-E02-MR GaN Systems MOSFET 650V 60A E-Mode GaN GS66516T-E02-MR

SSM3J112TU(TE85L) Toshiba MOSFET Vds=-30V Id=-1.1A 3Pin SSM3J112TU(TE85L)

SSM3J113TU(TE85L) Toshiba MOSFET Vds=-20V Id=-1.7A 3Pin SSM3J113TU(TE85L)

SSM3J117TU,LF Toshiba MOSFET Vds=-30V Id=-2A 3Pin SSM3J117TU,LF

SSM3J129TU(T5L,T) Toshiba MOSFET Small-signal FET 0.137Ohm -4.6A -20V SSM3J129TU(T5L,T)

SSM3J130TU(TE85L) Toshiba MOSFET Single P-ch 20V 4.4A SSM3J130TU(TE85L)

SSM3J130TU,LF Toshiba MOSFET Small-signal FET 24.8 nC -4.4A -20V SSM3J130TU,LF

SSM3J132TU,LF Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V SSM3J132TU,LF

SSM3J133TU,LF Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET P-Channel SSM3J133TU,LF

Ви дивились

AUIRF1404STRL Infineon Technologies MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms

EE-SPY412

SIR696DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix MOSFET N-Ch 125V Vds 19.4nC Qg Typ