Купить транзисторы MOSFET Київ Україна GAN SYSTEMS, STMICROELECTRONICS

Порівняння товарів (0)

Сортувати:

Показувати:

GS61004B-E01-MR GaN Systems MOSFET 100V 45A E-Mode GaN GS61004B-E01-MR

GAN SYSTEMS

MOSFET 100V 45A E-Mode GaN..

6.6 nC 15 mOhms 100 V 10 V 1.6 V

Мін. замовлення: 1 шт.

GS61008P-E05-MR GaN Systems MOSFET 100V 80A E-Mode GaN GS61008P-E05-MR

GAN SYSTEMS

MOSFET 100V 80A E-Mode GaN..

12 nC 7.4 mOhms 100 V 1.6 V SMD/SMT

Мін. замовлення: 1 шт.

GS61008T-E01-MR GaN Systems MOSFET 100V 90A E-Mode GaN GS61008T-E01-MR

GAN SYSTEMS

MOSFET 100V 90A E-Mode GaN..

7.4 mOhms 100 V 10 V 1.6 V SMD/SMT

Мін. замовлення: 1 шт.

GS66502B-E01-MR GaN Systems MOSFET 650V Enhancement Mode Transistor GS66502B-E01-MR

GAN SYSTEMS

MOSFET 650V Enhancement Mode Transistor..

7.5 A 1.7 nC 560 mOhms 650 V 10 V

Мін. замовлення: 1 шт.

GS66504B-E01-MR GaN Systems MOSFET 650V 15A E-Mode GaN GS66504B-E01-MR

GAN SYSTEMS

MOSFET 650V 15A E-Mode GaN..

3.3 nC 110 mOhms 650 V 10 V 1.6 V

Мін. замовлення: 1 шт.

GS66506T-E01-MR GaN Systems MOSFET 650V 22A E-Mode GaN GS66506T-E01-MR

GAN SYSTEMS

MOSFET 650V 22A E-Mode GaN..

4.9 nC 73 mOhms 650 V 10 V 1.6 V

Мін. замовлення: 1 шт.

GS66508B-E01-MR GaN Systems MOSFET 650V 30A E-Mode GaN GS66508B-E01-MR

GAN SYSTEMS

MOSFET 650V 30A E-Mode GaN..

30 A - 5.8 nC 50 mOhms 650 V

Мін. замовлення: 1 шт.

GS66508P-E05-MR GaN Systems MOSFET 650V 30A E-Mode GaN GS66508P-E05-MR

GAN SYSTEMS

MOSFET 650V 30A E-Mode GaN..

6.5 nC 55 mOhms 650 V 10 V 1.6 V

Мін. замовлення: 1 шт.

GS66508T-E02-MR GaN Systems MOSFET 650V 30A E-Mode GaN GS66508T-E02-MR

GAN SYSTEMS

MOSFET 650V 30A E-Mode GaN..

6.5 nC 55 mOhms 650 V 10 V 1.6 V

Мін. замовлення: 1 шт.

GS66516B-E01-MR GaN Systems MOSFET 650V, 60A E-Mode GaN GS66516B-E01-MR

GAN SYSTEMS

MOSFET 650V, 60A E-Mode GaN..

60 A - 12.1 nC 25 mOhms 650 V

Мін. замовлення: 1 шт.

GS66516T-E02-MR GaN Systems MOSFET 650V 60A E-Mode GaN GS66516T-E02-MR

GAN SYSTEMS

MOSFET 650V 60A E-Mode GaN..

13 nC 27 mOhms 650 V 10 V 1.6 V

Мін. замовлення: 1 шт.

IRF630 STMicroelectronics MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp IRF630

STMICROELECTRONICS

MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp..

9 A 75 W 400 mOhms 200 V 20 V

Мін. замовлення: 1 шт.

SCT1000N170 STMicroelectronics MOSFET SCT1000N170

STMICROELECTRONICS

MOSFET..

6 A 120 W 14 nC 1 Ohms 1700 V

Мін. замовлення: 1 шт.

SCT10N120 STMicroelectronics MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 10 A, 550 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package SCT10N120

STMICROELECTRONICS

MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 10 A, 550 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package..

12 A 150 W 22 nC 500 mOhms 1.2 kV

Мін. замовлення: 1 шт.

SCT20N120 STMicroelectronics MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET SCT20N120

STMICROELECTRONICS

MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET..

20 A 175 W 45 nC 215 mOhms 1.2 kV

Мін. замовлення: 1 шт.

SCT30N120 STMicroelectronics MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET SCT30N120

STMICROELECTRONICS

MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET..

45 A 270 W 105 nC 80 mOhms 1.2 kV

Мін. замовлення: 1 шт.

SCT50N120 STMicroelectronics MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package SCT50N120

STMICROELECTRONICS

MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package..

65 A 318 W 122 nC 52 mOhms 1.2 kV

Мін. замовлення: 1 шт.

SCTWA50N120 STMicroelectronics MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package SCTWA50N120

STMICROELECTRONICS

MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads ..

65 A 318 W 122 nC 52 mOhms 1200 V

Мін. замовлення: 1 шт.

STB100N6F7 STMicroelectronics MOSFET STB100N6F7

STMICROELECTRONICS

MOSFET..

100 A 125 W 30 nC 5.6 mOhms 60 V

Мін. замовлення: 1 шт.

STB100NF03L-03-1 STMicroelectronics MOSFET N-Ch 30 Volt 100 Amp STB100NF03L-03-1

STMICROELECTRONICS

MOSFET N-Ch 30 Volt 100 Amp..

100 A 300 W 3.2 mOhms 30 V 16 V

Мін. замовлення: 1 шт.

STB100NF04T4 STMicroelectronics MOSFET N-Ch 40 Volt 120 Amp STB100NF04T4

STMICROELECTRONICS

MOSFET N-Ch 40 Volt 120 Amp..

120 A 300 W 4.6 mOhms 40 V 20 V

Мін. замовлення: 1 шт.

STB10LN80K5 STMicroelectronics MOSFET POWER MOSFET STB10LN80K5

STMICROELECTRONICS

MOSFET POWER MOSFET..

8 A 110 W 15 nC 550 mOhms 800 V

Мін. замовлення: 1 шт.

STB10N60M2 STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A STB10N60M2

STMICROELECTRONICS

MOSFET N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A..

7.5 A 85 W 13.5 nC 600 mOhms 650 V

Мін. замовлення: 1 шт.

STB10N65K3 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 0.75Ohm 10A Zener-protected STB10N65K3

STMICROELECTRONICS

MOSFET N-CH 650V 0.75Ohm 10A Zener-protected..

10 A 150 W 42 nC 750 mOhms 650 V

Мін. замовлення: 1 шт.

STB10N95K5 STMicroelectronics MOSFET POWER MOSFET STB10N95K5

STMICROELECTRONICS

MOSFET POWER MOSFET..

8 A 130 W 22 nC 800 mOhms 950 V

Мін. замовлення: 1 шт.

Показано с 1 по 25 з 1376 (всього 56 сторінок)

Ви дивились

SI4632DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix MOSFET 25V 36A 7.8W 2.7mohm @ 10V

MOSFET 25V 36A 7.8W 2.7mohm @ 10V..

187 mg 1.75 mm 4.9 mm SI4632DY-GE3 2500

G6SK-2F-DC24

реле для печатного монтажа Gullwing 2Coil Latch DPDT 24VDC 300mW..

G6J-2P-Y-DC5

реле для печатного монтажа ThruHole NonLatching DPDT 5VDC 140mW..

G6EU-134P-US DC6

реле для печатного монтажа 3A 6VDC SPDT..

Транзисторы MOSFET GAN SYSTEMS, STMICROELECTRONICS

Параметри

GS61004B-E01-MR GaN Systems MOSFET 100V 45A E-Mode GaN GS61004B-E01-MR

GS61008P-E05-MR GaN Systems MOSFET 100V 80A E-Mode GaN GS61008P-E05-MR

GS61008T-E01-MR GaN Systems MOSFET 100V 90A E-Mode GaN GS61008T-E01-MR

GS66502B-E01-MR GaN Systems MOSFET 650V Enhancement Mode Transistor GS66502B-E01-MR

GS66504B-E01-MR GaN Systems MOSFET 650V 15A E-Mode GaN GS66504B-E01-MR

GS66506T-E01-MR GaN Systems MOSFET 650V 22A E-Mode GaN GS66506T-E01-MR

GS66508B-E01-MR GaN Systems MOSFET 650V 30A E-Mode GaN GS66508B-E01-MR

GS66508P-E05-MR GaN Systems MOSFET 650V 30A E-Mode GaN GS66508P-E05-MR

GS66508T-E02-MR GaN Systems MOSFET 650V 30A E-Mode GaN GS66508T-E02-MR

GS66516B-E01-MR GaN Systems MOSFET 650V, 60A E-Mode GaN GS66516B-E01-MR

GS66516T-E02-MR GaN Systems MOSFET 650V 60A E-Mode GaN GS66516T-E02-MR

IRF630 STMicroelectronics MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp IRF630

SCT1000N170 STMicroelectronics MOSFET SCT1000N170

SCT10N120 STMicroelectronics MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 10 A, 550 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package SCT10N120

SCT20N120 STMicroelectronics MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET SCT20N120

SCT30N120 STMicroelectronics MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET SCT30N120

SCT50N120 STMicroelectronics MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package SCT50N120

SCTWA50N120 STMicroelectronics MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package SCTWA50N120

STB100N6F7 STMicroelectronics MOSFET STB100N6F7

STB100NF03L-03-1 STMicroelectronics MOSFET N-Ch 30 Volt 100 Amp STB100NF03L-03-1

STB100NF04T4 STMicroelectronics MOSFET N-Ch 40 Volt 120 Amp STB100NF04T4

STB10LN80K5 STMicroelectronics MOSFET POWER MOSFET STB10LN80K5

STB10N60M2 STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A STB10N60M2

STB10N65K3 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 0.75Ohm 10A Zener-protected STB10N65K3

STB10N95K5 STMicroelectronics MOSFET POWER MOSFET STB10N95K5

Ви дивились

SI4632DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix MOSFET 25V 36A 7.8W 2.7mohm @ 10V

G6SK-2F-DC24

G6J-2P-Y-DC5

G6EU-134P-US DC6